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go
main函数的执行本身就是一个协程，当使用go关键字的时候，就会创建一个新的协程
channel
channel 管道，用于在多个协程之间传递信号
无缓存管道
当对无缓冲通道写的时候，会一直阻塞等到某个协程对这个缓冲通道读
阻塞场景：
- 通道中无数据，但执行读通道。
- 通道中无数据，向通道写数据，但无协程读取。
综上，无缓存通道的读写必须同时存在，且读写分别在两个不同的协程
func main(){
ch := make(chan int)
go func(ch chan int){
ch <-222
}(ch)
println(<-ch)
}
有缓冲管道
有缓存时可以向通道中写入数据后直接返回，缓存中有数据时可以从通道中读到数据直接返回，这时有缓存通道是不会阻塞的
阻塞场景：
- 通道的缓存无数据，但执行读通道。
- 通道的缓存已经占满，向通道写数据，但无协程读。
综上，有缓冲通道的读写必须在两个不同协程
func main() {
ch := make(chan int, 1) //长度为1的缓冲管道也是有缓冲管道
ch <- 333
go func(ch chan int) {
println(<-ch)
}(ch)
ch <- 333
}
sync.Mutex 和 sync.RwMutex
sync.Mutex 并发锁，一次只可以加载一个并发锁
sync.RwMutex 读写锁，一次可以加载多个读锁和一个写锁。当写锁存在时候，不能再加载读锁和写锁
sync.WaitGroup
阻塞等待所有任务完成之后再继续执行
WaitGroup在不方法中传递，需要传指针
func main() {
var wg sync.WaitGroup
ch := make(chan int, 1000)
for i := 0; i < 1000; i++ {
wg.Add(1)
go doSomething(i, &wg, ch)
}
wg.Wait()
fmt.Println("all done")
for i := 0; i < 1000; i++ {
dd := <-ch
fmt.Println("from ch:"+strconv.Itoa(dd))
}
}
func doSomething(index int, wg *sync.WaitGroup, ch chan int) {
defer wg.Done()
fmt.Println("start done:" + strconv.Itoa(index))
//time.Sleep(20 * time.Millisecond)
ch <- index
}
以上就是本文的全部内容，希望对大家的学习有所帮助，也希望大家多多支持。
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苹果官宣WWDC 2024！预计会有大批AI功能 - 2024/11/16
3月27日消息，苹果宣布2024年全球开发者大会（WWDC）将于6月10日至6月14日举行，巧合的是，这次大会与端午假期重合。
苹果官方表示：
在线参加 Apple 每年规模最大的开发者盛会。亲眼见证 Apple 最新平台、技术和工具的发布。了解如何创建和改进你的 App 和游戏。与 Apple 设计师和工程师互动交流，与全球开发者社区建立联系。以上活动均免费在线举行。
探索各种新的工具、框架和功能，助力你打造出理想的 App 和游戏。通过视频讲座学习新技能，与 Apple 专家进行一对一会面，以推进你的项目，完善你的构思。
Swift Student Challenge 旨在支持和鼓舞下一代开发者、创作者和企业家。太平洋时间 3 月 28 日，我们将公布今年的获奖者名单。获奖者将有资格参加在 Apple Park 举办的特别活动。我们还会选出 50 名杰出获胜者，他们将受邀前往库比提诺，获得为期三天的非凡体验，包括参加 Apple Park 的特别活动。
3月27日消息，苹果宣布2024年全球开发者大会（WWDC）将于6月10日至6月14日举行，巧合的是，这次大会与端午假期重合。
苹果官方表示：
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Swift Student Challenge 旨在支持和鼓舞下一代开发者、创作者和企业家。太平洋时间 3 月 28 日，我们将公布今年的获奖者名单。获奖者将有资格参加在 Apple Park 举办的特别活动。我们还会选出 50 名杰出获胜者，他们将受邀前往库比提诺，获得为期三天的非凡体验，包括参加 Apple Park 的特别活动。
RTX 5090要首发 性能要翻倍！三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB，每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps（PAM3），但也可以降至28 Gbps，以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示，GDDR7内存的能效将提高20%，同时工作电压仅为1.1V，低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计，使得在高速运行时的发热量降低，GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。