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10线程同时操作,频繁出现插入同样数据的问题。虽然在插入数据的时候使用了:
insert inti tablename(fields....) select @t1,@t2,@t3 from tablename where not exists (select id from tablename where t1=@t1,t2=@t2,t3=@t3)
当时还是在高并发的情况下无效。此语句也包含在存储过程中。(之前也尝试线判断有无记录再看是否写入,无效)。

因此,对于此类情况还是需要从数据库的根本来解决,就是约束。否则数据库的原子操作细不到我所需要的层面。
添加约束的命令行用得人不多,网上每次找SQL语句都累死,还是写下来好了。
需要的关键就叫做 字段组合约束唯一性
alter table tablename add CONSTRAINT NewUniqueName Unique(t1,t2,t3)
这样可以保证三个字段组合不重复
在生产系统数据库的调整真是锱铢必较。。。。。。
对于数据库读操作的重复暂时没有好的解决方法,就是读数据库某些条目同时将这些条目某个字段修改为1,然后其他进程读的时候就不会重复读取。但是在多线程情况下即使我使用了SQL SERVER 2005最新的特性,就是类似update...output into到临时表的方法:

update tablename set OnCheck=1,LastLockTime=getdate(),LastChecktime=getdate()
output deleted.ID into @newtb
where ID in
(select id from tablename where Oncheck=0)
还是会造成重复读。难道没有更好的办法了吗?

如果大家有更好的方法,可以发出来。
标签:
数据库,高并发,重复值

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评论“数据库高并发情况下重复值写入的避免 字段组合约束”

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三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。

首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。

据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。